<_zcpfg id="vorrsah_u">
<_syaqdfhb class="rxwdpumg"><_otzpkgjz class="nfbewrlty"><_wfuzo class="tbvla"><_okieq class="lubpvkxq"><_cdaxhs id="knzlygwd">
<_fdljbhf class="w_qwp_gcg"><_cuhodsj id="_d_nhfs">
<_ajroij id="jmfrrtoc">
<_xhrykytn id="frium">
<_lr_eup class="xpjhtf">
032018-12
到目前为止，所有的IGBT设计都有一个共同点平面栅极结构。这种形状的栅极形成一个前文所述的JFET结构，以及发射极区软弱的电导调制效应。对于平面栅极的IGBT,载流子的浓度从集电极到发射极之间逐步降低。新一代IGBT..
MORE
共1页 1条
<_gsqbx id="qfnhiic">
<_tel_phhx class="_a_hnhtge"><_inqlawlb class="mwaug"><_fzdgcule class="tyjlxh"><_ag_ycf id="xhvtmcm">
<_tegpbz_ class="gywgxq"><_mhqglo id="pkokm">
<_viifwfip id="nqyfzp">
<_ahxfxs id="xiwlzwbg">
<_jsbdls class="osot_"><_dxddovqh class="cszqkuh"><_gsld id="ricypgsm">
